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NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 26.05 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NVBG025N065SC1

Nº do fabricante:

NVBG025N065SC1

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Ficha técnica:

NVBG025N065SC1 Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$26.05	$26.05
	$20.48	$204.80
	$20.45	$2,045.00
	$20.16	$10,080.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 800)
	$19.49	$15,592.00

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	D2PAK-7
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	106 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	28.5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 8 V, + 22 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.3 V
Qg - Carga na porta:	164 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	395 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	8 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	27 S
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	19 ns
Série:	NVBG025N065SC1
Quantidade do pacote de fábrica:	800
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	32 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	17 ns

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Ficha técnica

NVBG025N065SC1 Ficha técnica

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVBG025N065SC1 features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).