Módulos Híbridos NXH450B100H4Q2 Si/SiC

Os Módulos Híbridos Si/SiC NXH450B100H4Q2  da Onsemi contêm dois IGBTs de 1000 V e 150 A, dois diodos de SiC de 1200 V e 30 A, dois diodos de bypass de 1600 V e 30 A e um termistor NTC. Estes módulos híbridos Si/SiC apresentam baixa perda de comutação, dissipação reduzida de energia do sistema, baixo layout indutivo, encaixe de pressão e opções de pino de solda. Os módulos híbridos NXH450B100H4Q2 oferecem um intervalo de temperatura de armazenamento de -40°C a 125°C e um intervalo de temperatura operacional em condições de comutação de -40°C a 125°C. Estes módulos híbridos Si/SiC são utilizados idealmente em inversores solares e fontes de alimentação ininterruptíveis.