NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Resultados: 4
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Série
Embalagem

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
Ficha técnica
23Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
Ficha técnica
1,148Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 28
Mult.: 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Ficha técnica
56Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Ficha técnica
168Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray