QPD1013SR

Qorvo
772-QPD1013SR
QPD1013SR

Fabricante.:

Descrição:
FETs GaN DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

Modelo ECAD:
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Disponibilidade

Estoque:
Não estocado
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20 semanas Tempo estimado de produção de fábrica.
Mínimo: 100   Vários: 100
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$-.--
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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Qorvo
Categoria de produto: FETs GaN
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1.7 A
- 40 C
+ 85 C
67 W
Marca: Qorvo
Configuração: Single Triple Drain
Kit de desenvolvimento: QPD1013EVB01
Ganho: 21.8 dB
Voltagem do gate de dreno máxima: 65 V
Frequência operacional máxima: 2.7 GHz
Frequência operacional mínima: 1.2 GHz
Sensível à umidade: Yes
Potência de saída: 178 W
Embalagem: Reel
Tipo de Produto: GaN FETs
Série: QPD1013
Quantidade do pacote de fábrica: 100
Subcategoria: Transistors
Tecnologia: GaN
Tipo de transistor: HEMT
Aliases de núm de peça: QPD1013
Peso unitário: 7.792 g
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Atributos selecionados: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8517620090
USHTS:
8541290055
TARIC:
8517620000
ECCN:
EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.