NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET offers a low QRR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package. This MOSFET has a low RDS(on) to minimize conduction losses and a low QG and capacitance to minimize driver losses. The onsemi NVBYST0D6N08X is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, lead-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS-compliant. A typical application for this MOSFET is Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC, a primary switch in an isolated DC-DC converter, motor drives, and automotive 48V systems.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem
onsemi MOSFETs PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m?
Ficha técnica
980Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,500

Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NVBYST0D8N08XTXG
onsemi MOSFETs PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 53 semanas
Mín.: 1,500
Mult.: 1

PowerTrench