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NTH4L075N065SC1

Name: onsemi NTH4L075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L075N065SC1
Price: 7.55 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NTH4L075N065SC1

Nº do fabricante:

NTH4L075N065SC1

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Ficha técnica:

NTH4L075N065SC1 Ficha técnica

Modelo ECAD:

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	$5.19	$519.00
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2,700	Cotação

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-247-4
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	38 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	85 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 8 V, + 22 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.3 V
Qg - Carga na porta:	61 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	148 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	7 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	9 S
Embalagem:	Tube
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	12 ns
Série:	NTH4L075N065SC1
Quantidade do pacote de fábrica:	450
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	20 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	10 ns

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Ficha técnica

NTH4L075N065SC1 Ficha técnica

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L075N065SC1 57mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTH4L075N065SC1 57mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a TO-247-4L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTH4L075N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).