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NVBG160N120SC1

Name: onsemi NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG160N120SC1
Price: 11.94 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NVBG160N120SC1

Nº do fabricante:

NVBG160N120SC1

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

Ficha técnica:

NVBG160N120SC1 Ficha técnica

Modelo ECAD:

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$-.--

Ext. Preço:

$-.--

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Embalagem:

Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 800)

Corte de fita

MouseReel™ (+$7.00)

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	$11.94	$11.94
	$8.12	$81.20
	$7.29	$729.00
	$7.02	$3,510.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 800)
	$6.80	$5,440.00

† $7.00 taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	D2PAK-7
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1.2 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	19.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	224 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 15 V, + 25 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.3 V
Qg - Carga na porta:	33.8 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	136 W
Modo de canal:	Enhancement
Qualificação:	AEC-Q101
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	7.4 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	5.5 S
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	11 ns
Série:	NVBG160N120SC1
Quantidade do pacote de fábrica:	800
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	15 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	11 ns

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Ficha técnica

NVBG160N120SC1 Ficha técnica

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET

onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. This MOSFET features 1200V drain-to-source voltage (V_DSS) and 19.5A maximum drain current (I_D). The NVBG160N120SC1 MOSFET offers low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. This MOSFET provides high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced electromagnetic interference (EMI), and reduced system size. onsemi NVBG160N120SC1 MOSFET is qualified for automotive applications like automotive onboard chargers and DC/DC converters for electric vehicles (EVs)/hybrid vehicles (HEVs) according to the AEC-Q101 standards.