NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules

onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules feature high efficiency and superior reliability. The NXH100B120H3Q0 integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction and switching losses. onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules are ideal for energy storage systems, solar inverters, and uninterruptible power supply (UPS) applications.

Tipos de Semicondutores discretos
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 Fabricante
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Qtde RoHS Tipo de Produto
Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
onsemi Módulos IGBT PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
Ficha técnica
28Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Módulos de semicondutores para uso específico PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Ficha técnica
24Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
onsemi Módulos IGBT PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
Ficha técnica
96Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 24
Mult.: 24

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Módulos de semicondutores para uso específico PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Ficha técnica
480Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 24
Mult.: 24
Discrete Semiconductor Modules Si