FETs GaN – Mouser Brasil

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SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

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Resultados: 8

Filtros aplicados:

Caixa / Gabinete

Polaridade do transistor

Número de canais

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte

Id - Corrente de drenagem contínua

Rds On - Fonte de drenagem na resistência

Vgs - Voltagem de porta e fonte

Tensão de limite porta e fonte

Qg - Carga na porta

Pd - Dissipação de potência

Modo de canal

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Número de peça

FETs GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT350R70GTK
STMicroelectronics
1: $2.60
695Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SGT350R70GTK

Nº de ref. da Mouser #
511-SGT350R70GTK

Novo Produto

STMicroelectronics

FETs GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ficha técnica

695Em estoque

Corte de fita

$2.60

$1.68

$1.20

$1.01

Bobina

$0.816

Exibir

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3

700 V

6 A

350 mOhms

- 1.4 V, + 7 V

2.5 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

FETs GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT070R70HTO
STMicroelectronics
1: $7.80
365Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SGT070R70HTO

Nº de ref. da Mouser #
511-SGT070R70HTO

Novo Produto

STMicroelectronics

FETs GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ficha técnica

365Em estoque

Corte de fita

$7.80

$5.59

$4.88

$4.74

Exibir

Bobina

$4.53

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,800

SMD/SMT

TO-LL-11

700 V

26 A

70 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

231 W

Enhancement

FETs GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT080R70ILB
STMicroelectronics
1: $4.98
1,000Esperado 08/06/2026
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SGT080R70ILB

Nº de ref. da Mouser #
511-SGT080R70ILB

Novo Produto

STMicroelectronics

FETs GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ficha técnica

1,000Esperado 08/06/2026

Corte de fita

$4.98

$3.50

$3.02

$2.93

Exibir

Bobina

$2.75

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

29 A

80 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

FETs GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT105R70ILB
STMicroelectronics
3,000: $2.29
Não estocado
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SGT105R70ILB

Nº de ref. da Mouser #
511-SGT105R70ILB

Novo Produto

STMicroelectronics

FETs GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ficha técnica

Não estocado

Bobina

$2.29

Exibir

Mín.: 3,000
Mult.: 3,000

Bobina: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

21.7 A

105 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

158 W

Enhancement

FETs GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT140R70ILB
STMicroelectronics
3,000: $1.67
Não estocado
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SGT140R70ILB

Nº de ref. da Mouser #
511-SGT140R70ILB

Novo Produto

STMicroelectronics

FETs GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ficha técnica

Não estocado

Bobina

$1.67

$1.63

Mín.: 3,000
Mult.: 3,000

Bobina: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

17 A

140 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

FETs GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT190R70ILB
STMicroelectronics
3,000: $1.33
Não estocado
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SGT190R70ILB

Nº de ref. da Mouser #
511-SGT190R70ILB

Novo Produto

STMicroelectronics

FETs GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ficha técnica

Não estocado

Bobina

$1.33

$1.30

Mín.: 3,000
Mult.: 3,000

Bobina: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

11.5 A

190 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

FETs GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT240R70ILB
STMicroelectronics
3,000: $1.26
Não estocado
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SGT240R70ILB

Nº de ref. da Mouser #
511-SGT240R70ILB

Novo Produto

STMicroelectronics

FETs GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

Obter mais informações

Ficha técnica

Não estocado

Bobina

$1.26

$1.25

Cotação

Mín.: 3,000
Mult.: 3,000

Bobina: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

10 A

240 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

FETs GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT65R65AL
STMicroelectronics
1: $9.73
Tempo de conclusão 62 semanas

Fabricante Nº de ref.:
SGT65R65AL

Nº de ref. da Mouser #
511-SGT65R65AL

STMicroelectronics

FETs GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Obter mais informações

Ficha técnica

Tempo de conclusão 62 semanas

Corte de fita

$9.73

$6.73

$5.48

$5.44

Bobina

$4.72

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

65 mOhms

+ 6 V

1.8 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

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