MOSFETs de potência de SiC TO-247-4 de 1.200 V de baixo perfil

Os MOSFETs de potência TO-247-4 de 1.200 V de Carbeto de Silício (SiC) de baixo perfil da Wolfspeed apresentam comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias e alta tensão de bloqueio com baixa resistência. Estes MOSFETs de potência reduzem as perdas de comutação e os requisitos de resfriamento, minimizando também o ruído nas portas. Os MOSFETs de potência de SiC de 1200 V incluem um diodo intrínseco rápido com baixa recuperação reversa (Qrr). Estes MOSFETs de potência aumentam a densidade da potência e a frequência de comutação do sistema. Os MOSFETs de potência SiC de 1200 V são fornecidos em pacotes otimizados com pinos de fonte de driver separados e estão disponíveis no corpo do pacote TO-247-4 de perfil mais baixo. Estes MOSFETs de potência não contêm halogênio e atendem às normas RoHS. As aplicações típicas incluem controle de motor, carregadores de bateria EV, conversores CC/CC de alta tensão, solar/ESS, UPS e PSU empresarial.

Resultados: 6
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Ficha técnica
166Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Ficha técnica
428Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Ficha técnica
153Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Ficha técnica
254Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Ficha técnica
386Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Ficha técnica
880No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement