FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The  FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.

Resultados: 2
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Nome comercial Embalagem
onsemi MOSFETs 20V Complementary PowerTrench 2,484Em estoque
5,000Esperado 08/01/2027
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT UMLP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.4 A 66 mOhms, 142 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV, 600 mV 3 nC, 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench
142,000No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT UMLP-6 N-Channel 2 Channel 20 V 3.4 A 55 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel