X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.

Resultados: 7
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
IXYS MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
Ficha técnica
659Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
Ficha técnica
684Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
Ficha técnica
292Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
Ficha técnica
956Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 66 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
Ficha técnica
625Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 49 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
Ficha técnica
500Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
Ficha técnica
148Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube