Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel and offer optimized switching performance. This MOSFET features a low reverse recovery charge (Qrr) and soft body diode for superior low-noise switching. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs provide high efficiency with lower switching spikes and electromagnetic interference (EMI). They improve the switching Figure of Merit (FOM). Typical applications include synchronous rectification for ATX/server/telecom power-supply units (PSUs), motor drives, uninterruptible power supplies (UPS), and micro solar inverters.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem
onsemi MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
Ficha técnica
1,547Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 74.3 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
Ficha técnica
2,578Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi NTP7D3N15MC
onsemi MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
Ficha técnica
123Em estoque
1,600No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Tube