RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

Rectron RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide efficient high-frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
Rectron MOSFETs
Ficha técnica
603Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 92 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs MOSFET D2-PAK
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 800
Mult.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 100 V 143 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 92 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel