IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs are high-gain IGBTs optimized for ultra-low conduction losses VCE(sat) and for switching frequencies of up to 5kHz. Thin wafer technology and improved processes enable a low gate charge QG, hence, low gate-current requirement. High gain boosts surge current capability, and the positive thermal co-efficient of VCE(sat) simplifies paralleling. The low thermal resistance of Rth(j-c) eases thermal-related design issues. 

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Caixa / Gabinete
Estilo de montagem
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Tensão de saturação do coletor - emissor
Tensão do emissor do gate máxima
Corrente contínua do coletor a 25ºC
Pd - Dissipação de potência
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
IXYS IGBTs PLUS247 1200V 110A GENX4
Ficha técnica
207Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs TO264 1200V 110A GENX4
Ficha técnica
158Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
Ficha técnica
320Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube