MOSFETs de Potência RQ3xFRATCB

Os MOSFETs de potência RQ3xFRATCB  da ROHM Semiconductor são MOSFETs de nível automotivo com qualificação AEC-Q101. Esses MOSFETs apresentam uma faixa de voltagem de dreno-fonte de -40 V a 100 V, 8 terminais, dissipação de potência de até 69 W e corrente de dreno contínua de ±12A  a ±27A. Os MOSFETs de potência RQ3xFRATCB estão disponíveis em canal N e canal P. Esses MOSFETs de potência estão disponíveis em um pequeno pacote HSMT8AG de 3,3 mm x 3,3 mm. Os MOSFETs de potência RQ3xFRATCB são ideais para Sistemas Avançados de Assistência ao Motorista (ADAS na sigla em inglês), informação/entretenimento, iluminação e carroceria.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Ficha técnica
3,830Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Ficha técnica
2,997Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Ficha técnica
2,795Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape