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SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 4.98 USD
Availability: OutOfStock

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Nº da Mouser:

511-SGT080R70ILB

Nº do fabricante:

SGT080R70ILB

Fabricante.:

STMicroelectronics

Descrição:

FETs GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ficha técnica:

SGT080R70ILB Ficha técnica (PDF)

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Corte de fita

MouseReel™ (+$7.00)

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	$4.98	$4.98
	$3.50	$35.00
	$3.02	$302.00
	$2.93	$1,465.00
	$2.85	$2,850.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 3000)
	$2.75	$8,250.00
24,000	Cotação

† $7.00 taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	FETs GaN
RoHS:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	PowerFLAT-8
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	700 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	29 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	80 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 6 V, + 7 V
Tensão de limite porta e fonte:	2.5 V
Qg - Carga na porta:	6.2 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	188 W
Modo de canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuração:	Single
País de montagem:	Not Available
País de difusão:	Not Available
País de origem:	Not Available
Tempo de queda:	4 ns
Sensível à umidade:	Yes
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Produto:	FET
Tipo de Produto:	GaN FETs
Tempo de ascensão:	4 ns
Série:	SGT
Quantidade do pacote de fábrica:	3000
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tempo de retardo de desligamento típico:	5 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	3 ns
Peso unitário:	154 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.