Discrete 600V XPT IGBTs

IXYS Discrete 600V XPT Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are highly rugged, low loss semiconductor devices that are easily configured in parallel. Developed using IXYS' extreme light punch through (XPT) design platform, these new devices feature excellent electrical characteristics which include low typical Vcesat, low typical current fall times, and low typical turn-off energy per pulse values.

Resultados: 6
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Caixa / Gabinete
Estilo de montagem
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Tensão de saturação do coletor - emissor
Tensão do emissor do gate máxima
Corrente contínua do coletor a 25ºC
Pd - Dissipação de potência
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
Ficha técnica
815Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
Ficha técnica
167Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-264 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 170 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
Ficha técnica
370Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 220 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
Ficha técnica
1Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
Ficha técnica
300Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 300
Mult.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 190 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 27 semanas
Mín.: 300
Mult.: 30

Si TO-247AD Through Hole 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube