DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Coletor VCBO de voltagem básica
Emissor - VEBO de tensão de base
Tensão de saturação do coletor - emissor
Pd - Dissipação de potência
Produto fT da largura de banda de ganho
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Qualificação
Série
Embalagem
Diodes Incorporated Transistores bipolares de junção - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Ficha técnica
1,592Em estoque
2,000Esperado 08/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares de junção - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Ficha técnica
3,880Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares de junção - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Ficha técnica
1,592Em estoque
2,000Esperado 20/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape