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M1P45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1P45M12W2-1LA
Price: 63.36 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

511-M1P45M12W2-1LA

Nº do fabricante:

M1P45M12W2-1LA

Fabricante.:

STMicroelectronics

Descrição:

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

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Novo Produto:

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Ficha técnica:

M1P45M12W2-1LA Ficha técnica (PDF)

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$63.36	$63.36
	$52.35	$575.85
	$46.60	$5,126.00
1,001	Cotação

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnologia:	SiC
Estilo de montagem:	Press Fit
Caixa / Gabinete:	ACEPACK DMT-32
Número de canais:	6 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1.2 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	30 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	60.5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 10 V, + 22 V
Tensão de limite porta e fonte:	5 V
Temperatura operacional mínima:	- 40 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Embalagem:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Altura:	5.9 mm
Comprimento:	44.5 mm
Tipo de Produto:	MOSFET Modules
Qualificação:	AQG-324
Quantidade do pacote de fábrica:	11
Subcategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power Module
Largura:	27.9 mm

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Ficha técnica

M1P45M12W2-1LA Ficha técnica (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1P45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 Power Module

STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 Power Module realizes a six-pack topology with integrated NTC tailored for the DC/DC converter stage of the OBC. This power module is used in On-Board Charger (OBC). The M1P45M12W2-1LA power module guarantees the optimal balance between energy losses and high switching frequency operation mode. This power module creates complex topologies with very high power densities and high-efficiency requirements. This power module AQG 324 qualified. The M1P45M12W2-1LA power module features six silicon carbide Power MOSFETs of 2^nd generation.