FS50R12W2T7 & FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies FS50R12W2T7 and FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules are 1200V three-phase input rectifier Insulated Gate Bipolar Transistor Modules. Based on TRENCHSTOP™ IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode technology, these devices provide strongly reduced losses and are highly controllable. These modules are specially optimized for industrial drive applications, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained with an operation overload temperature up to +175°C in the power module. 

Resultados: 2
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Produto Configuração Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor Tensão de saturação do coletor - emissor Corrente contínua do coletor a 25ºC Corrente de dispersão do gate - emissor Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Embalagem
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 50 A sixpack IGBT module Tempo de conclusão 10 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 75 A sixpack IGBT module Tempo de conclusão 10 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray