NHUMB1 PNP/PNP Double Transistors

Nexperia NHUMB1 PNP/PNP Double Transistors are designed to simplify circuit design and feature high breakdown voltage, built-in resistors, reduced component count, and reduced pick/place costs. These transistors operate at -80V collector-emitter voltage (VCEO), -100mA output current (IO), and -55°C to 150°C ambient temperature range (Tamb). Typical applications include digital applications, cost-saving alternatives for the BC856 series, controlling IC inputs, and switching loads.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Coletor VCBO de voltagem básica
Emissor - VEBO de tensão de base
Tensão de saturação do coletor - emissor
Pd - Dissipação de potência
Produto fT da largura de banda de ganho
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
Nexperia Transistores bipolares de junção - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 22 semanas
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 10,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares de junção - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 22 semanas
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT SOT-8009-3 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel