R8002ANJ & R8005ANJ & R8008ANJ Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002ANJ and R8005ANJ and R8008ANJ Power MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. The MOSFETs are suitable for switching applications. The devices feature low on-resistance, have a fast switching speed, and a gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 5A N-CH MOSFET
Ficha técnica
1,986Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Ficha técnica
1,919Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Ficha técnica
826Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape